Taal wijzigen
Introductie
In wezen vallen zowel de ZTX653 als de ZTX753 onder de categorie transistors. Er wordt echter aangenomen dat de ZTX653 een polariteit van Negatief-Positief-Negatief (NPN) heeft, terwijl bekend is dat de ZTX753 een polariteit van Positief-Negatief-Positief (PNP) heeft.
Hoewel ze in sommige opzichten verschillen, zijn het beide planaire siliciumtransistoren met een gemiddeld vermogen. Bovendien zijn de ZTX653 en ZTX753 bipolaire junctietransistoren (BJT's) , wat betekent dat ze zijn opgebouwd uit drie (3) aansluitingen die signalen kunnen versterken.
Vergelijkbaar met het belang van typische transistors, zijn deze twee klassen van BJT, ZTX653 en ZTX753, cruciaal bij het reguleren van de stroom die in een circuit vloeit. Op die manier zijn het vermogen en de stroom die door het hele systeem gaan, beperkt tot de waarde van het apparaat, waardoor het risico op fouten en schade aan het apparaat zelf wordt verkleind terwijl het optimaal presteert.
Als gevolg hiervan zullen we de essentiële aspecten met betrekking tot de ZTX653 en ZTX753 delen, inclusief hun definitie, absolute maximumclassificaties, elektrische kenmerken en dynamische kenmerken, om hun concept volledig te begrijpen. Daarom raden we aan om tot het einde te lezen!
Gedetailleerde uitleg van bipolaire junctietransistors (BJT)
Wat is ZTX653?
Zoals vermeld, is de ZTX653 een transistor van het type bipolaire junctie met een negatieve-positieve-negatieve (NPN) polariteitsconfiguratie. Verder is het een doorsteektransistor met een E-Line-behuizing die compatibel is met TO-92.
Er werd aangenomen dat de ZTX653 een bedrijfsvermogen van 100 volt heeft voor zijn collector-emitterspanning. Bovendien beschikt het over een continue stroom van 2 A. Afgezien daarvan is het bekend dat het een lage verzadigingsspanning heeft; dit betekent dat de relatie tussen de collector en de emitter stabiel is. Uiteindelijk is de vermogensdissipatiewaarde 1 W.
Over het algemeen verschillen de kenmerken van de ZTX653 niet veel van de ZTX753; door hun mogelijkheden kan men echter onderscheiden welke de meest geschikte transistor is voor hun toepassingen. Als men nog steeds niet kan kiezen tussen deze twee, moedigen we onze lezers ten zeerste aan om hun vragen naar ons te sturen; we helpen u graag verder.
Het concept van de ZTX653 begrijpen
Wat is ZTX753?
Zoals eerder vermeld, is de ZTX753 een klasse transistors vergelijkbaar met de ZTX573. Verder is hun classificatie vergelijkbaar; ze vallen met de Bipolar Junction Transistor (BJT). De polariteit verschilt echter van de ZTX653; in plaats van NPN is het PNP (Positive-Negative-Positive).
Qua verpakking en montage zijn ze vergelijkbaar; E-Line is geschikt voor respectievelijk TO-92 en Through Hole. Bovendien worden ze beschouwd als RoHS- en REACH-compatibel; ze zijn dus ecologisch vriendelijk. Verder is het vochtgevoeligheidsniveau 1. Ook is de basisspanning -120 V, met een waarde van -2 A voor de continue stroom.
Al met al heeft de ZTX753 veel meer overeenkomsten dan verschillen met de ZTX653; ze hebben echter hun eigen opvallende kenmerken die voor sommige toepassingen cruciaal kunnen zijn. Daarom raden we aan om de toepassings- en apparaatvereisten zorgvuldig te overwegen voordat u een transistor kiest tussen de ZTX653 en ZTX753.
Het concept van de ZTX753 begrijpen
Absolute maximale beoordelingen van ZTX653 en ZTX753
Om het verschil in prestaties tussen de ZTX653 en ZTX753 volledig te begrijpen, zullen we de maximale waarden van elke transistor bekijken. Op die manier kunnen we overbelasting van het component voorkomen en een vlekkeloze werking garanderen bij integratie. Alle onderstaande waarden zijn gebaseerd op T A = 25 °C.
Symbool | Parameter | ZTX653 | ZTX753 |
| VCBO | Collector - Basisspanning | 120 V | - 120 V |
V CEO | Collector - Emitterspanning | 100 V | - 100 V. |
| VEBO | Emitter - Basisspanning | 5 V | - 5 V. |
Ik C | Continue collectorstroom | 2 A | - 2A |
| IB | Basisstroom | 2 A | - 2A |
P D | Totale vermogensdissipatie bij TA = 25 °C Reductie boven 25°C | 1.0w | |
8 mW/°C | |||
T J | Junction temperatuurbereik | -55 tot 150 ° C | |
| TSTG | Temperatuur bij opslag | -55 tot 150 ° C | |
Elektrische kenmerken van ZTX653 en ZTX753
Om de eigenschappen van de ZTX653 en ZTX753 ten opzichte van elkaar volledig te begrijpen, zullen we de elektrische kenmerken van beide transistors nader bekijken. Op die manier kan men gemakkelijk vaststellen of de ene transistor beter geschikt is voor de betreffende toepassing dan de andere. Let op: alle genoemde waarden zijn gebaseerd op T A = 25 °C.
Symbool | Kenmerken | Test voorwaarden | Min. | Type. | Max. | Eenheden | |
V (BR)CBO (1) | Doorslagspanning collector-basis | IC = 100 µA | ZTX653 | 120 | V | ||
| IC = – 100 µA | ZTX753 | -120 | |||||
V (BR) CEO (1) | Doorslagspanning collector-emitter | IC = 10mA | ZTX653 | 100 |
µA | ||
I C = – 10 mA | ZTX753 | -100 | |||||
| V(BR)EBO(1) | Emitter-basis doorslagspanning | IE = 100 µA | ZTX653 | 5 | |||
| IE = – 100 µA | ZTX753 | -5 | |||||
Ik CBO (1) | Collector-basis afsnijstroom | VCB = 100 V | ZTX653 | 0.1 | |||
| VCB = – 100 V | ZTX753 | - 0.1 | |||||
Ik EBO (1) | Emitter-Base afsnijstroom | VEB = 4 V | ZTX653 | 0.1 | |||
V EB = – 4 V | ZTX753 | - 0.1 | |||||
V CE(sat) (1) | Collector-emitter verzadigingsspanning | IC = 500mA I B = 50 mA | ZTX653 | 0.2 | 0.3 |
V
| |
I C = – 500 mA I B = – 50 mA | ZTX753 | - 0.2 | - 0.3 | ||||
I C = 1.0 A I B = 100 mA | ZTX653 | 0.35 | 0.5 | ||||
I C = – 1.0 A I B = – 100 mA | ZTX753 | - 0.35 | - 0.5 | ||||
I C = 2 A I B = 200 mA | ZTX653 | 0.8 | 1.0 | ||||
I C = – 2 A I B = – 200 mA | ZTX753 | - 0.8 | - 1.0 | ||||
V BE(sat) (1) | Basis-emitter verzadigingsspanning | IC = 1.0 A I B = 100 mA | ZTX653 | 1.0 | 1.3 | ||
I C = 1.0 A I B = 100 mA | ZTX753 | - 1.0 | - 1.3 | ||||
V BE(on) (1) | Basis-emitter inschakelspanning | IC = 1.0 A V CE = 2 V | ZTX653 | 0.95 | 1.2 | ||
I C = 1.0 A V CE = 2 V | ZTX753 | - 0.95 | - 1.2 | ||||
|
H FE (1) |
DC stroomversterking | IC = 50mA V CE = 2 V | ZTX653 | 70 | 200 | ||
I C = – 50 mA V CE = – 2 V | ZTX753 | ||||||
I C = 500 mA V CE = 2 V | ZTX653 | 100 | 200 | 300 | |||
I C = – 500 mA V CE = – 2 V | ZTX753 | ||||||
I C = 1.0 A V CE = 2 V | ZTX653 | 55 | 110 | ||||
I C = 1.0 A V CE = – 2 V | ZTX753 | ||||||
I C = 2 A V CE = 2 V | ZTX653 | 25 | 55 | ||||
I C = – 2 A V CE = – 2 V | ZTX753 | ||||||
Dynamische kenmerken van ZTX653 en ZTX753
Om de checklist compleet te maken, bespreken we graag de dynamische eigenschappen van de ZTX653 en ZTX753. Op die manier kunnen we iemands keuze verder beperken door de dynamische waarden te kennen die men bezit. Al deze waarden zijn gebaseerd op de pulsbreedte van ≤ 380 µs.
Symbool | Kenmerken | Test voorwaarden | Min. | Type. | Max. | Eenheden | |
f T | Overgangsfrequentie | IC = 100mA f = 100 MHz | V CE = 5 V ZTX653 | 140 | 175 | MHz | |
I C = – 100 mA f = 100 MHz | V CE = – 5 V ZTX753 | 100 | 140 | ||||
C OBO | Uitgangscapaciteit: | IE = 0 f = 1.0 MHz | V CB = 10 V ZTX653 | 30 | pF | ||
I E = 0 f = 1.0 MHz | V CB = – 10 V ZTX753 | ||||||
| T ON | Inschakeltijd | IC = 500mA | ZTX653 | 80 |
ns | ||
V CC = 10 V | |||||||
I C = – 500 mA | ZTX753 | 40 | |||||
V CC = – 10 V | |||||||
T OFF | Uitschakeltijd | IB1= IkB2 = 50mA | 1200 | ns | |||
I B1 = I B2 = – 50 mA | 600 | ||||||
Conclusie
Om het af te ronden, de ZTX653 en de ZTX753 zijn beide subcategorieën van transistors, met name Bipolar Junction-transistors (BJT); ze hebben echter een andere polariteit, de ene heeft een NPN-klasse en de andere heeft een PNP-klasse.
Als u het verschil tussen deze twee polariteiten niet begrijpt, hebben we een uitgebreid artikel geschreven waarin we ze uitleggen: PCB-transistoren . Mocht dit uw vragen en verwarring echter nog steeds niet wegnemen, neem dan gerust contact op met PCBTok . We geven u graag ons professionele advies over welke transistor het meest geschikt is voor uw beoogde doel en toepassingen.
Dus als je meer wilt weten over de ZTX653 en ZTX753, stuur ons dan een bericht of bel! We staan altijd klaar om onze klanten honderd procent tevreden te stellen met onze diensten en producten. Neem direct contact met ons op!
